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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]通孔侧壁形貌修饰方法-CN201210077037.5有效
发明人：黄智林;严利均 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种通孔侧壁形貌修饰方法，包括：提供硅衬底，所述硅衬底内形成有通孔，所述通孔侧壁具有第一粗糙度；采用针对所述通孔侧壁的凸出部的氧化工艺对所述凸出部进行氧化；采用湿法刻蚀溶液对氧化后的硅衬底进行浴洗，形成具有第二粗糙度的所述通孔侧壁
侧壁形貌修饰方法

[发明专利]改变光刻侧壁形貌的灰度掩模图形-CN201911325716.8在审
发明人：张雪;王辉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种改变光刻侧壁形貌的灰度掩模图形，在掩膜版上形成用于光刻形成沟槽或者台阶的灰度掩膜图形，所述灰度掩膜图形在平面内具有互相垂直的第一方向及第二方向，在掩膜版上用于形成沟槽侧壁形貌的掩膜区域沿第二方向设置多行及多列的方形孔结构阵列，所述的方形孔结构阵列位于灰度掩膜版上形成沟槽的两侧壁区域；所述方形孔结构阵列中位于同一列上的方形孔具有相同的尺寸，位于不同列的方形孔具有不同的尺寸，且以沟槽中心向两侧方向上不同列的方形孔的尺寸逐渐缩小本发明通过设置不同的方形孔尺寸，以及方形孔之间的行间距以及列间距，实现了形成不同角度沟槽侧壁的目的，且能通过不同参数使沟槽侧壁的形貌更加平整。
改变光刻侧壁形貌灰度图形

[发明专利]线条三维形貌测量方法及线宽测量方法-CN201510584024.0在审
发明人：高思田;李伟;王鹤群;施玉书;李琪;李适 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： G01B7/28 文献下载
摘要：公开了一种基于前凸针尖原子力显微镜针尖对顶的线条三维形貌测量方法和线宽测量方法，所述线条包括顶部以及相对的第一侧壁和第二侧壁，所述三维形貌测量方法包括：采用第一探针扫描所述线条，以得到第一形貌曲线，所述第一形貌曲线至少包括第一侧壁的形貌；采用第二探针扫描所述线条，以得到第二形貌曲线，所述第二形貌曲线至少包括第二侧壁的形貌；将所述第一形貌曲线和第二形貌曲线合成第三形貌曲线，其中，所述采用第一探针扫描的路径和采用第二探针扫描的路径重叠；在所述线条的不同位置重复上述步骤以获得线条的三维形貌
线条三维形貌测量方法

[发明专利]用于定义光刻图形侧壁形貌的掩模版-CN201910742911.4在审
发明人：王辉;张雪 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的掩模版，在掩模版上形成有掩模版图形，掩模版图形用于定义光刻图形；光刻图形具有侧壁，在掩模版图形上设置有定义光刻图形的侧壁形貌的掩模版侧面图形结构，掩模版侧面图形结构具有使曝光光强逐渐变化的结构，曝光光强越大的区域光刻图形的侧壁的高度越低以及曝光光强越小的区域光刻图形的侧壁的高度高，掩模版侧面图形结构通过使曝光光强逐渐变化来定义光刻图形的侧壁形貌。本发明还公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法。本发明能定义光刻图形侧壁形貌，方便形成侧面倾斜的光刻图形侧壁。
光刻图形侧壁形貌掩模版曝光光侧壁掩模版图形图形结构侧面逐渐变化光刻工艺

[发明专利]一种胶型侧壁形貌表征方法-CN202210879520.9在审
发明人：彭炜;李有金;刘晓宇 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明提供一种胶型侧壁形貌表征方法，该方法包括：提供待测样品，待测样品包括衬底与位于衬底上方的胶层，胶层中设有图形化的开口；于待测样品的预设区域进行切割以显露特征结构的纵截面；采用图像采集装置获取特征结构的纵截面图像与表面图像；基于表面图像获取待侧样品的特征尺寸，基于纵截面图像获取待侧样品的胶层厚度及开口的纵截面面积值，基于特征尺寸、胶层厚度及开口的纵截面面积值表征胶型侧壁形貌。本发明的胶型侧壁形貌表征方法基于常规图像采集装置测试即可实现，对图像测量的误差具有较高的宽容度；并且，能够实现对高深宽比胶型结构侧壁形貌的高效、准确的表征，能够直观反映各种特征尺寸、各种深宽比范围的胶型侧壁形貌
一种侧壁形貌表征方法

[发明专利]基于透光率优化双沟槽工艺中较深沟槽刻蚀形貌的方法-CN202211058079.4在审
发明人：陈串;张俊学;吕亚冰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种基于透光率优化双沟槽工艺中较深沟槽刻蚀形貌的方法，包括建立透光率与双沟槽工艺中前后两道刻蚀形成较深沟槽的侧壁角度关系的数学模型；获取前后两道刻蚀形成较深沟槽的侧壁角度形貌图形；根据数学模型在不同透光率条件下重合比对前后两道刻蚀形成较深沟槽的侧壁角度形貌图形，判断前后两道刻蚀形成合格的较深沟槽的侧壁角度形貌与透光率在数学模型中是否匹配；当不匹配时，在后续工艺中通过调整后道刻蚀的刻蚀气体配比来调整后道刻蚀的侧壁角度，以使前后两道刻蚀形成合格的较深沟槽的侧壁角度形貌与透光率相匹配，以优化后续工艺中较深沟槽的刻蚀形貌。
基于透光率优化沟槽工艺深沟刻蚀形貌方法

[发明专利]一种光刻胶侧壁形貌控制方法-CN202010974463.3在审
发明人：葛欢;田亮;吴沛飞;吴斌;齐向 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网山东省电力公司泰安供电公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶侧壁形貌控制方法，其包括：经预处理的晶圆中心定位并涂光刻胶；对晶圆依次进行前烘、曝光、显影得光刻胶图形；预定义光刻胶图形的尺寸；去除残留光刻胶和坚膜；本发明提供的技术方案大大提高了衬底材料和图形尺寸不同造成的图形转换质量
一种光刻侧壁形貌控制方法

[发明专利]一种改善通孔侧壁形貌的方法-CN201210393966.7无效
发明人：陶铮;松尾裕史 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种改善通孔侧壁形貌的方法，所述方法为将硅基底放置在一等离子体刻蚀腔内，在所述等离子体刻蚀腔内通入反应气体，所述反应气体包括含氟元素的气体，还包括为COS气体或H2S气体的一种或两种，COS气体或H2S气体产生的碳离子、氧离子、氢离子和硫离子与侧壁硅反应生成碳硅化合物、硅氧化和物、硅硫化合物、硅氢化合物附着在硅通孔的侧壁和底部，形成钝化层。F等离子在大功率条件下垂直轰击底部的钝化层或Si，可以对孔洞底部的Si形成快速刻蚀，而在孔洞的侧壁，F等离子没有垂直方向的动能的作用，F等离子对钝化层的刻蚀速率很慢，因此，在整个刻蚀过程中，横向刻蚀速率慢
一种改善侧壁形貌方法

[发明专利]一种控制PI胶形貌的方法-CN202110310006.9在审
发明人：吴沛飞;葛欢;赵万利;韩纪层 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网福建省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制PI胶形貌的方法，该形貌为具有金属层的台阶形衬底上的PI胶形貌，方法包括：预处理晶圆；在晶圆表面涂敷PI胶；前烘、曝光、显影和坚膜；调整曝光焦距和剂量控制形貌，本发明有效解决了PI胶在不同厚度所接受到的曝光焦距和剂量差异造成的平面和侧壁形貌问题，得到了与后续工艺要求相匹配的PI胶侧壁形貌，大大提高了光刻工艺的图形转移质量，同时简化了工艺复杂度。
一种控制 pi 形貌方法

[发明专利]开尔文探针力显微镜系统及样品侧壁扫描方法-CN202010238378.0有效
发明人：谢晖;张号;耿俊媛;孟祥和;宋健民 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01Q60/30 文献下载
摘要：基于正交探针的开尔文探针力显微镜系统及样品侧壁扫描方法，属于开尔文探针力显微镜测量技术领域。本发明是为了解决现有开尔文探针力显微镜不能实现半导体元器件上微纳三维结构的侧壁表面形貌和表面电势的测量的问题。它设计了新的正交探针结构，然后利用正交探针的扭转信号测量具有微纳米级三维结构样品侧壁的表面形貌和局部表面电势；方法中步骤一实现样品侧壁表面形貌的测量，步骤二和步骤三实现样品侧壁表面电势的测量，步骤四实现样品侧壁表面的成像测量本发明用于实现微纳三维结构的样品侧壁表面形貌和局部表面电势的测量。
开尔文探针显微镜系统样品侧壁扫描方法

[发明专利]用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法-CN201910742905.9在审
发明人：王辉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法，包括：步骤一、进行掩模版设计，在掩模版上形成有掩模版图形，掩模版图形用于定义光刻图形；光刻图形具有侧壁，在掩模版图形上设置有定义光刻图形的侧壁形貌的掩模版侧面图形结构掩模版侧面图形结构具有使曝光光强逐渐变化的结构；步骤二、在需要曝光的基底上涂布光刻胶；步骤三、采用掩模版对光刻胶进行曝光，进行显影形成光刻图形，在曝光过程中，掩模版侧面图形结构通过使曝光光强逐渐变化来定义光刻图形的侧壁形貌本发明能定义光刻图形侧壁形貌，方便形成侧面倾斜的光刻图形侧壁。
光刻图形掩模版侧壁形貌掩模版图形图形结构侧面逐渐变化曝光光侧壁掩模版设计光刻工艺曝光过程曝光光刻胶后烘基底显影

[发明专利]垂直形貌修整-CN201410571349.0在审
发明人： S·M·列扎·萨贾迪;彼得·西里格利亚诺;金智洙;黄志松;埃里克·A·赫德森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在该蚀刻层上形成具有光刻胶特征的图案化光刻胶掩模，该光刻胶特征具有侧壁，其中该光刻胶特征的侧壁具有沿该光刻胶特征深度的不规则形貌。修正沿该光刻胶特征侧壁的光刻胶特征深度的不规则形貌，该修正包括至少一个循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和形貌成形阶段。穿过该光刻胶特征将特征蚀刻入该蚀刻层。去除该掩模。
垂直形貌修整

[发明专利]垂直形貌修整-CN200680036913.2无效
发明人： S·M·列扎·萨贾迪;彼得·西里格利亚诺;金智洙;黄志松;埃里克·A·赫德森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：在该蚀刻层上形成具有光刻胶特征的图案化光刻胶掩模，该光刻胶特征具有侧壁，其中该光刻胶特征的侧壁具有沿该光刻胶特征深度的不规则形貌。修正沿该光刻胶特征侧壁的光刻胶特征深度的不规则形貌，该修正包括至少一个循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和形貌成形阶段。穿过该光刻胶特征将特征蚀刻入该蚀刻层。去除该掩模。
垂直形貌修整

[发明专利]改善沟槽侧壁扇贝形貌的干法刻蚀工艺方法-CN201210346926.7有效
发明人：吴智勇;林硕 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善沟槽侧壁“扇贝”形貌的干法刻蚀工艺方法，步骤包括：1）涂胶，曝光，定义钨通道尺寸；2）高压下，预淀积聚合物；3）预刻蚀聚合物；4）在沟槽侧壁和底部淀积聚合物；5）交迭进行聚合物刻蚀和淀积本发明利用刻蚀和淀积交迭步骤来控制沟槽侧壁和底部的聚合物厚度，以保护沟槽侧壁的聚合物，这样大大降低了沟槽侧壁“扇贝”形貌的幅度，保证了后续金属钨阻挡层淀积的可行性和金属钨sinker的实现。
改善沟槽侧壁扇贝形貌刻蚀工艺方法

[发明专利]一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法-CN201310743899.1有效
发明人：陆敏;田亮;张昭;杨霏 -专利权人：国家电网公司;国网智能电网研究院
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及SiC器件的制作技术，具体涉及一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法。该方法包括依次进行的SiC材料清洗、沉积掩膜层、光刻、干法刻蚀掩膜层、去胶和干法刻蚀SiC材料步骤，其特征在于，在步骤干法刻蚀掩膜层和去胶之间增加湿法腐蚀光滑掩膜层步骤，通过控制陡直光滑侧壁形貌的掩膜，获得陡直光滑侧壁形貌的SiC。
一种陡直光滑侧壁形貌 sic 刻蚀方法

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